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DDR4内存与DDR3有何区别,钲铭科电子为您揭秘

来源:本站 发布时间:2017-10-30 20:11:12 点击量:   【返回

DDR3内存自2007年"服役"以来,已经走过10个年头,相比Intel的更新换代步伐来说,内存发展还是比较缓慢;而DDR42012年开始投入生产并上市。所以在之前的很长一段时间,三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发,并计划进行量产。然,DDR4内存与DDR3有何区别,接下来钲铭科电子将为您揭秘。

DDR4DDR3内存差异一:处理器

DDR4与DDR3的区别

8i7-5960X&DDR4出击 Intel HSW-E首测 Haswell-E架构图解

  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-EDDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。

DDR4DDR3内存差异二:外型

DDR4与DDR3的区别

DDR4金手指变化较大

  大家注意上图,宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

  接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm

DDR4DDR3内存差异三:参数

  DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。

DDR4与DDR3的区别

默认频率DDR4 2133 CL15

  另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。

DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR31.5V降低至DDR41.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。

简而言之,DDR4内存特点如下:

1.DDR4内存条外观变化明显,金手指变成弯曲状

2.DDR4内存频率提升明显,可达4266MHz

3.DDR4内存容量提升明显,可达128GB  

4.DDR4功耗明显降低,电压达到1.2V、甚至更低

前段时间“内存一年涨三倍”成了微博热门话题,钲铭科电子专业经营内存十多年,广大客户们,如果你们再不下单,我们也涨价的昂~

 

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