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SM2325E高PF、低THD创新芯片应用

来源:本站 发布时间:2017-12-26 15:22:07 点击量:   【返回

目前市面上大功率灯具类产品均有相应的认证要求,其中高PF、低THD是重要指标项,线性应用产品,须在每个市电周期内以多段开启方式以实现高PF、低THD。在大功率方案应用时,需使用多颗IC进行并联使用,这当中就不可避免在并联端口处产生更多的跳线电阻,这会导致走线间距,可靠性等性能降低,PCB layout困难、整体布局不美观、外围成本高等问题。

 

SM2325ESM2325E

为此钲铭科电子SM2325E创新产品应运而生,省去了外围多余的跳线电阻,减少了外围干扰、提高了系统应用可靠性,节省了外围应用成本等问题。   

SM2325ESM2325E

 

50W典型应用方案性能参数:

l SM2325E基本参数项:

VIN

Pin

PF

Vled

THD

230Vac

51.92W

0.9983

268V

7.22%

l SM2325E次谐波测试数据:

SM2325E

l SM2325EEMI测试项:

SM2325E

l SM2325E方案支持:

PF大于0.9

THD小于10%,满足分次谐波要求 IEC61000-3-2C级)

可通过EMI等认证标准

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